InP 磊晶
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磷化銦(InP)在5G超高速傳輸技術之應用潛力
https://www.moea.gov.tw
InP材料擁有高達5,400 (cm2/v·s)的超高電子遷移率，僅次於GaAs且領先大部分材料，但卻擁有比GaAs更高的功率密度(如表一)，而與InP晶格匹配的InGaA磊晶層的 ...
化合物半導體磷化銦(InP)市場趨勢
https://ieknet.iek.org.tw
磷化銦(InP)雖然與砷化鎵(GaAs)同屬於第二代半導體材料，但磷化銦所製造的光收發模組元件，能提供更高速的光纖傳輸能力，使其成為高速光纖通訊中難被取代的關鍵材料， ...
磷化銦：化合物半導體的下一張拼圖
https://www.digitimes.com.tw
磷化銦的異質結構雙極性電晶體(InP HBT)，是我個人認為最夢幻的超高速電子元件，因為InP ... 而磷化銦的各類元件在磊晶上是相對的複雜，就需要磊晶廠與晶圓 ...
磷化銦單晶應用與技術發展現況
https://www.materialsnet.com.t
5G商轉引爆各種磷化銦(InP)的潛在商機浮上檯面，根據Yole預測，2024年磷化銦基板和磊晶晶圓的市場需求將成長到1.72億美元，2018年至2024年的複合年 ...
磷化銦
https://zh.wikipedia.org
磷化銦（Indium phosphide，InP）是由磷和銦組成的二元半導體材料，磷化銦和砷化 ... 磷化銦也用在銦鎵砷（英語：indium gallium arsenide）為基礎的光電元件中的磊晶基板。
公司簡介產品應用領域介紹市場概況介紹核心競爭優勢未來 ...
http://www.intelliepi.com
•砷化鎵(GaAs)磊晶晶片. –主要應用於行動通訊裝置，如手機開關及微波通訊(基地台. ,GPS,衛星). –新市場機會：(>40G)超高頻應用通訊元件,汽車防撞雷達. •磷化銦(InP)磊晶 ...
磷化銦異質接面雙載子電晶體磊晶片InP HBT epi wafer
http://www.vpec.com.tw
全新光電基於MOCVD的核心磊晶技術，成長出世界一流水準的磷化銦HBT磊晶片，尤其在均勻性方面，更為客戶所肯定。在產品的品質及特性上，已獲世界級大廠認證通過尤其在高頻 ...
INGaAsP InP 液相磊晶成長與特性量測
http://etd.lib.nctu.edu.tw
砷磷化鎵銦〔In（1－x ）Ga（x ）As（y ）P （1－y ）可經調變其組成（x ，y），在磷化銦（InP ）基板上成長晶格匹配的磊晶層，且能調整能隙以涵蓋光纖通訊上所用 ...